[发明专利]一种超低功耗带隙基准电路有效

专利信息
申请号: 201710671418.9 申请日: 2017-08-08
公开(公告)号: CN107479616B 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 熊辉涛 申请(专利权)人: 深圳市锦锐科技有限公司
主分类号: G05F1/577 分类号: G05F1/577
代理公司: 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 代理人: 刘汉民
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及带隙基准电路领域,尤指一种超低功耗带隙基准电路。包括启动电路、偏置电路、亚阀值区工作电路、基准电压输出电路、基准电流输出电路,所述启动电路与偏置电路输入端连接,所述偏置电路分别与启动电路、基准电压输出电路和基准电流输出电路连接,且提供电流偏置;本发明的超低功耗带隙基准电路主要包括启动电路、偏置电路、亚阀值区工作电路、基准电压输出电路和基准电流输出电路,结构简单,减少了芯片面积和功耗,能够保证在不同的电源电压下提供一个稳定的基准电流,同时保证在不同的温度和电源电压下提供一个稳定的基准电压。
搜索关键词: 一种 功耗 基准 电路
【主权项】:
1.一种超低功耗带隙基准电路,其特征在于:包括启动电路、偏置电路、亚阀值区工作电路、基准电压输出电路、基准电流输出电路,所述启动电路与偏置电路输入端连接,所述偏置电路分别与启动电路、基准电压输出电路和基准电流输出电路连接,且提供电流偏置;所述亚阀值区工作电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管,所述第一MOS管栅极与漏极短接,且还与第三MOS管的源极连接,所述第三MOS管的栅极与漏极短接,且还与偏置电路连接,所述第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极连接,所述第一MOS管的源极还与启动电路连接,第二MOS管的源极还通过第一电阻R1与启动电路连接;所述基准电压输出电路包括三极管、第二电阻、第十四MOS管、第十五MOS管,所述三极管的基极和集电极短接,且分别与启动电路和亚阀值区工作电路连接,所述三极管的发射极通过第二电阻与第十五MOS管的漏极连接,且所述第十五MOS管漏极作为基准电压输出端,所述第十五MOS管的源极与第十四MOS管的漏接连接,所述第十四MOS管的源极分别与启动电路、基准电流输出电路、偏置电路连接,所述第十四MOS管、第十五MOS管的栅极与启动电路连接。
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