[发明专利]一种半桥模块和封装方法

摘要

本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设，所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块；上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子，下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子，下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法，可以降低电路杂散电感的分布差异，实现较好的碳化硅芯片的均流特性。

主权项

1.一种半桥模块，其特征在于，所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块；所述上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个上半桥辅助源极驱动信号端子、一个上半桥栅极驱动信号端子和一个上半桥漏极功率信号端子，所述上半桥子单元包括两个直接并联碳化硅芯片、一个上半桥覆铜陶瓷基板、上半桥并联芯片的栅极信号汇集区域、上半桥并联芯片的辅助源极信号汇集区域、上半桥并联芯片的漏极信号汇集区域，所述子单元内的两个碳化硅芯片关于所述上半桥覆铜陶瓷基板的中轴线对称分布，所述上半桥辅助源极驱动信号端子与相邻的两个所述上半桥子单元的所述上半桥辅助源极信号汇集区域连接，所述上半桥栅极驱动信号端子与相邻的两个所述上半桥子单元的所述上半桥栅极信号汇集区域连接；所述上半桥漏极功率信号端子与相邻的两个所述上半桥子单元的所述上半桥漏极信号汇集区域连接；所述下半桥模块包括多个并联的下半桥子单元、一个下半桥辅助源极驱动信号端子、一个下半桥栅极驱动信号端子、一个下半桥漏极功率信号端子和一个下半桥源极功率信号端子，所述下半桥子单元包括两个并联碳化硅芯片、一个下半桥覆铜陶瓷基板、下半桥栅极信号汇集区域、下半桥辅助源极信号汇集区域、下半桥漏极信号汇集区域和下半桥源极信号汇集区域，所述两个碳化硅芯片关于所述下半桥覆铜陶瓷基板的中轴线对称分布，所述下半桥辅助源极驱动信号端子与相邻的两个所述下半桥子单元的所述下半桥辅助源极信号汇集区域连接，所述下半桥栅极驱动信号端子与相邻的两个所述下半桥子单元的所述下半桥栅极信号汇集区域连接；所述下半桥漏极功率信号端子与相邻的两个所述下半桥子单元的所述下半桥漏极信号汇集区域连接，所述下半桥源极功率信号端子与相邻的两个所述下半桥子单元的所述下半桥源极信号汇集区域连接；所述各种功率信号端子和所述各种驱动信号端子的结构为二叉树状结构。