[发明专利]一种TFT基板的制备方法、TFT基板以及OLED显示面板

摘要

本发明公开了一种TFT基板的制备方法、TFT基板以及OLED显示面板。该TFT基板的制备方法包括在基板上依次形成栅电极、栅极绝缘层、多晶硅层和阻挡层，多晶硅层包括源极区、漏极区和沟道区；通过一道光罩对源极区和漏极区上方的阻挡层进行刻蚀，使源极区和所述漏极区上方的所述阻挡层的厚度为离子能够穿过的厚度，且不为零；再对多晶硅层进行离子布植；通过上述方式，可以不用暴露出源极区和漏极区的多晶硅层既能够对源极区和漏极区的多晶硅层进行离子布植，避免了多晶硅层在制备过程中受到损坏，提升TFT基板的稳定性，提高显示质量。

主权项

1.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：/n在一基板上依次形成栅电极、栅极绝缘层、多晶硅层和阻挡层，其中，所述多晶硅层包括源极区、漏极区和沟道区；/n通过第一道光罩对位于所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层进行刻蚀，以使所述源极区和所述漏极区上方的所述阻挡层的厚度为450埃至550埃之间；/n对所述源极区和所述漏极区的所述多晶硅层进行离子布植；/n通过第二道光罩对所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层进行图案化处理，以分别在所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层上形成第一类接触孔；/n在所述阻挡层上方形成源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别通过所述第一类接触孔与所述源极区和漏极区的所述多晶硅层连接。/n