[发明专利]一种硅@氮化硅@碳核壳结构复合材料及制备方法在审
| 申请号： | 201710676859.8 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107482200A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 雷超;魏飞;张晨曦;肖哲熙 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司11331 | 代理人： | 徐芃 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了硅@氮化硅@碳核壳结构复合材料，属于锂离子电池负极材料技术领域。该复合材料为致密三层结构内层、中间层和外层；内层为硅Si基质、中间层为氮化硅Si3N4基质，外层为碳层；以复合材料的总重量为100％计，内层的质量分数为50‑80％，中间层的质量分数为0.5‑19％，外层的质量分数为0.5‑19％。此外，本发明还公开了该复合材料的制备方法。该复合材料具有分散均匀、Si含量高、导电性好、比容量高、循环稳定性好的特点。该制备方法简单、无污染、成本低、流程短、易于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 碳核壳 结构 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅@氮化硅@碳核壳结构复合材料，其特征在于，所述复合材料为致密三层结构：内层、中间层和外层；其中，所述内层为硅Si基质、所述中间层为氮化硅Si3N4基质，所述外层为碳层；以所述复合材料的总重量为100％计，所述内层的质量分数为50‑80％，所述中间层的质量分数为0.5‑19％，所述外层的质量分数为0.5‑19％。
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