[发明专利]一种提高深紫外LED出光效率的方法在审
| 申请号： | 201710677423.0 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107425097A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 甘志银;严晗 | 申请（专利权）人： | 甘志银 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 | 代理人： | 唐忠庆 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武昌洪山*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高深紫外LED出光效率的方法，其特征在于包含如下步骤，S1、在衬底(101)下表面(103)沉积一层氮化铝薄膜(104)；S2、对氮化铝薄膜(104)进行湿法腐蚀，获得特定的湿法腐蚀缺陷结构(105)；S3、在包含有湿法腐蚀缺陷结构(105)氮化铝薄膜(104)的衬底(101)上表面(102)外延生长深紫外LED外延薄膜(106)；S4、通过倒装芯片工艺制备深紫外LED芯片。本发明的主要目的在于提供一种提高深紫外LED出光效率的方法，旨在用于解决倒装深紫外LED芯片出光效率较低的问题，实现高出光效率的深紫外LED低成本制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 深紫 led 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高深紫外LED出光效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在衬底(101)下表面(103)沉积一层氮化铝薄膜(104)；S2、对氮化铝薄膜(104)进行湿法腐蚀，获得特定的湿法腐蚀缺陷结构(105)；S3、在包含有湿法腐蚀缺陷结构(105)氮化铝薄膜(104)的衬底(101)上表面(102)外延生长深紫外LED外延薄膜(106)；S4、通过倒装芯片工艺制备深紫外LED芯片。
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