[发明专利]激光诱导的跨尺度光刻方法

摘要

一种基于激光诱导跨尺度光刻方法，当准直的激光束聚焦到光刻材料时，通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散，得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构，并且该结构一次形成。本发明简单实用，不需要复杂的操作，特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺，从而避免了多次套刻引起的图形误差。

主权项

1.一种基于激光诱导跨尺度的光刻方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1)在基片(1)上用磁控溅射的方法镀上一层AgInSbTe相变薄膜(2)，该相变薄膜(2)具有相变热阈值效应及热扩散特征，得到镀膜样品；2)利用激光直写系统对所述的镀膜样品进行辐照，通过调节激光功率密度和刻写速度，改变到达所述的相变薄膜(2)上的聚焦光斑(3)的能量，从而调控相变热阈值区域(4)得到纳米尺度结构；调控热扩散区域(5)得到微米尺度结构，实现跨尺度光刻，得到光刻样品；3)对所述的光刻样品置于硫化铵水溶液、四甲基氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液中进行湿法显影，以获得从微米到纳米尺度连续变化的跨尺度微纳结构。