[发明专利]用于互连堆叠的半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 201710678886.9 申请日: 2014-09-26
公开(公告)号: CN107579011A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 赵俊峰 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488;H01L23/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 邬少俊,王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明描述了用于制造半导体器件的方法。所述方法包括在第一和第二管芯上形成边缘。所述边缘在横向上延伸离开第一和第二管芯。将第二管芯堆叠在第一管芯上,在堆叠后,穿过边缘钻出一个或多个过孔。所述半导体器件包括分别在第一和第二管芯以及相应的边缘中的至少其中之一之上延伸的再分布层。所述一个或多个过孔延伸穿过相应的边缘,并且所述一个或多个过孔经由边缘与第一和第二管芯进行通信。
搜索关键词: 用于 互连 堆叠 半导体器件 方法
【主权项】:
一种半导体组件,包括:第一管芯组件,所述第一管芯组件包括:具有第一管芯上表面和第一管芯下表面的第一管芯,以及从所述第一管芯横向延伸的第一边缘,其中所述第一边缘包括靠近所述第一管芯上表面的第一上边缘面和靠近所述第一管芯下表面的第一下边缘面,所述第一管芯下表面和所述第一下边缘面靠近所述半导体组件的输入和输出阵列;所述第一管芯组件之上的第二管芯组件,所述第二管芯组件包括:具有第二管芯上表面和第二管芯下表面的第二管芯,在横向上延伸离开所述第二管芯的第二边缘,其中所述第二边缘包括靠近所述第二管芯上表面的第二上边缘面和靠近所述第二管芯下表面的第二下边缘面,以及多个导电迹线,所述多个导电迹线朝着所述第二下边缘面向外延伸超出所述第二管芯;其中至少所述第一上边缘面是所述第一管芯组件的最上部表面且所述第二下边缘面是所述第二管芯组件的最下部表面,并且所述多个导电迹线介入在所述第一上边缘面和所述第二下边缘面之间;以及延伸穿过所述第一边缘和所述第二边缘中的至少一个的一个或多个过孔,所述一个或多个过孔通过所述多个导电迹线和所述第一边缘或所述第二边缘中的至少一个与所述第一管芯和所述第二管芯通信。
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