[发明专利]用于互连堆叠的半导体器件的方法在审
申请号: | 201710678886.9 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN107579011A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 赵俊峰 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 邬少俊,王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明描述了用于制造半导体器件的方法。所述方法包括在第一和第二管芯上形成边缘。所述边缘在横向上延伸离开第一和第二管芯。将第二管芯堆叠在第一管芯上,在堆叠后,穿过边缘钻出一个或多个过孔。所述半导体器件包括分别在第一和第二管芯以及相应的边缘中的至少其中之一之上延伸的再分布层。所述一个或多个过孔延伸穿过相应的边缘,并且所述一个或多个过孔经由边缘与第一和第二管芯进行通信。 | ||
搜索关键词: | 用于 互连 堆叠 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体组件,包括:第一管芯组件,所述第一管芯组件包括:具有第一管芯上表面和第一管芯下表面的第一管芯,以及从所述第一管芯横向延伸的第一边缘,其中所述第一边缘包括靠近所述第一管芯上表面的第一上边缘面和靠近所述第一管芯下表面的第一下边缘面,所述第一管芯下表面和所述第一下边缘面靠近所述半导体组件的输入和输出阵列;所述第一管芯组件之上的第二管芯组件,所述第二管芯组件包括:具有第二管芯上表面和第二管芯下表面的第二管芯,在横向上延伸离开所述第二管芯的第二边缘,其中所述第二边缘包括靠近所述第二管芯上表面的第二上边缘面和靠近所述第二管芯下表面的第二下边缘面,以及多个导电迹线,所述多个导电迹线朝着所述第二下边缘面向外延伸超出所述第二管芯;其中至少所述第一上边缘面是所述第一管芯组件的最上部表面且所述第二下边缘面是所述第二管芯组件的最下部表面,并且所述多个导电迹线介入在所述第一上边缘面和所述第二下边缘面之间;以及延伸穿过所述第一边缘和所述第二边缘中的至少一个的一个或多个过孔,所述一个或多个过孔通过所述多个导电迹线和所述第一边缘或所述第二边缘中的至少一个与所述第一管芯和所述第二管芯通信。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造