[发明专利]制备高精度图案化的量子点发光层的方法及其应用在审
| 申请号： | 201710680555.9 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN107611021A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈树明;纪婷婧;孙小卫 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/28 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了制备高精度图案化的量子点发光层的方法及其应用。该制备高精度图案化的量子点发光层的方法包括(1)在衬底的一侧涂布反转光刻胶，并对反转光刻胶进行光刻处理，以便形成纵截面为倒梯形的镂空图案；(2)对镂空图案处的衬底进行疏水处理，并沉积量子点薄膜；(3)对量子点薄膜进行交联处理；(4)剥离反转光刻胶。本发明所提出的制备方法，使用反转光刻胶后，可使得显影后光刻胶的纵截面为倒梯形结构，如此能使光刻胶更易被剥离，从而使量子点发光层图形的精度更高，进而使制备量子点发光层图形方法的良品率显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高精度 图案 量子 发光 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种制备高精度图案化的量子点发光层的方法，其特征在于，包括：(1)在衬底的一侧涂布反转光刻胶，并对所述反转光刻胶进行光刻处理，以便形成纵截面为倒梯形的镂空图案；(2)对所述镂空图案处的所述衬底进行疏水处理，并沉积量子点薄膜；(3)对所述量子点薄膜进行交联处理；(4)剥离所述反转光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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