[发明专利]垂直结构薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710682110.4 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN107731928B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 严进嵘 | 申请（专利权）人： | 创王光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种垂直结构薄膜晶体管及其制造方法，其薄膜晶体管的电流路径因增加垂直方向的电流路径，借此在相同布局面积下提升通道长度。像素电路设计在补偿工艺不稳定性中扮演了重要的角色，不论是何种补偿电路方式，在驱动用薄膜晶体管的设计上皆需采用较长的通道设计来改善元件电性的稳定性。本发明提出上栅极结构的垂直结构薄膜晶体管其垂直结构设计可让电流路径除了X‑Y方向的流动外，也因为垂直结构而增加Z方向的电流，此设计等同在相同面积下提升了通道长度，借此减少布局面积，并可在2微米的栅极线宽(gate length)下改善短通道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构薄膜晶体管，其包含有：一基板；一缓冲层，设置于该基板上，该缓冲层具有一表面，该表面具有一孔洞，该缓冲层于该孔洞内具有一侧壁及一底面；一半导体层，设置于该缓冲层的该表面上，并于该侧壁上形成一垂直通道以及于该底面上形成一水平通道，该水平通道电性连接该垂直通道；以及一栅极电极，设置于该半导体层上。
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