[发明专利]一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法有效
| 申请号： | 201710685113.3 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107679261B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 刘林林;郭奥;王全;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/32 | 分类号： | G06F30/32;G06F30/392 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，包括以下步骤：S01：建立抽取MOS衬底寄生电阻的等效测试结构，其中，源极数量ns等于漏极数量nd，源漏极的宽度均为lsd，相邻两个源漏极之间间距为l，源极和漏极的长度均为w；S02：取一组w、lsd、ns，变化l的尺寸，生成一系列等效测试结构，分别测试对应的等效测试结构阻值，以确定Rsb、Rdb和Rdsb；S03：变换版图因子w、lsd、ns，对每一组w，lsd，ns都按照S02中方法求得对应的Rsb、Rdb及Rdsb，根据等效测试结构中不同版图因子及其对应的阻值变化规律，建立Rsb、Rdb、Rdsb的寄生电阻模型。本发明提供的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，避免了传统MOS等效测试结构对该部分信息表征不充分的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 衬底 寄生 电阻 建模 方法 | ||
【主权项】：
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