[发明专利]GeSn光电探测器在审
| 申请号： | 201710686361.X | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107611192A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种GeSn光电探测器。包括Si衬底11以及设置于所述Si衬底11上的晶化Ge层12、GeSn层13及金属电极14。其中，所述晶化Ge层12包括N型掺杂区121、i型区122和P型掺杂区123从而形成横向P‑i‑N结构，所述GeSn层12设置在所述i型区122表面上，所述金属电极14分别连接所述N型掺杂区121和所述P型掺杂区123。本发明实施例通过采用激光再晶化工艺形成的晶化Ge层，可有效降低Ge/Si界面的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge/Si界面特性，从而使光电探测器具备高速响应率和高量子效率的特性。 | ||
| 搜索关键词： | gesn 光电 探测器 | ||
【主权项】：
一种GeSn光电探测器，其特征在于，包括：Si衬底(11)以及设置于所述Si衬底(11)上的晶化Ge层(12)、GeSn层(13)及金属电极(14)；其中，所述晶化Ge层(12)包括水平方向依次排列的N型掺杂区(121)、i型区(122)和P型掺杂区(123)，所述GeSn层(13)设置在所述i型区(122)表面上，所述金属电极(14)设置于所述N型掺杂区(121)和所述P型掺杂区(123)之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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