[发明专利]圆片级封装结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种圆片级封装结构及其制备方法，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有半导体结构；2）于晶圆的上表面形成重新布线层，并在形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；3）于重新布线层的上表面形成凸点下金属层及焊球。本发明的晶圆级封装结构的制备方法通过形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理，可以释放封装过程中产生的应力，有效降低晶圆由高温固化等带来的翘曲，在仅以提高极小的成本为代价的前提下，提高了制备过程中的精度和可操作性，进而提高了元器件的可靠性；同时，允许在封装结构中内嵌其他无源器件。

主权项

1.一种圆片级封装结构的制备方法，其特征在于，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆内形成有半导体结构；2)于所述晶圆的上表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述半导体结构电连接；并在形成所述重新布线层的过程中或形成所述重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；所述低温处理的温度为‑273℃～‑20℃；3)于所述重新布线层的上表面形成凸点下金属层及焊球，所述焊球经由所述凸点下金属层与所述重新布线层电连接。