[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201710687463.3 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN109390277B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 曲连杰;贵炳强;齐永莲;石广东;刘帅;赵合彬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，属于阵列基板制备技术领域，其可至少部分解决现有的阵列基板制备工艺复杂的问题。本发明的阵列基板制备方法包括：在基底上形成第一导电材料层；通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构；对第一导电材料层进行过刻蚀，除去无绝缘结构覆盖和位于绝缘结构边缘部的第一导电材料层，使剩余的第一导电材料层形成第一导电结构，而绝缘结构边缘部下方产生空隙；进行退火，使绝缘结构填充其边缘部下方的空隙；通过构图工艺形成第二导电结构，第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板制备方法，包括在基底上形成第一导电材料层，其特征在于，在形成第一导电材料层后还包括：通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构；对第一导电材料层进行过刻蚀，除去无绝缘结构覆盖和位于绝缘结构边缘部的第一导电材料层，使剩余的第一导电材料层形成第一导电结构，而绝缘结构边缘部下方产生空隙；进行退火，使绝缘结构填充其边缘部下方的空隙；通过构图工艺形成第二导电结构，所述第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
