[发明专利]一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺有效
| 申请号： | 201710689654.3 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107507785B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘文国;苏世杰;李强强;张玉前;周守亮 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，包括以下步骤：S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。本发明工艺能够利用纯水重新浸泡测试抗PID亲水性用片硅片，再通过酸洗去除水印，有效地降低了测试抗PID亲水性用片隔离，提高了优质出品率，而且可以很明显的减少测试抗PID亲水性用片隔离返工次数，大大节约了时间、提高了工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 测试 pid 亲水性 隔离 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；在步骤S1中，将测试抗PID亲水性用片沥干至无水滴自由下落；S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；在步骤S2中，浸泡所用的水为纯水；S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能（安徽）有限公司，未经通威太阳能（安徽）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710689654.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
