[发明专利]一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法有效
| 申请号： | 201710692556.5 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107546144B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张晓朋;李翠双;魏双双;张建旗;尚琪 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 申超平 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法，将工艺腔室各单管的硅烷和氨气的比例调整为一致；将工艺腔室第一部分单管的硅烷流量设定为第一流量值，将工艺腔室第二部分单管的硅烷流量设定为第二流量值，将工艺腔室各单管的氨气流量设定为第三流量值；将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室；将盛放硅片的石墨舟在工艺腔室中停留预设时长进行镀膜；将盛放硅片的石墨舟以第二预设速度传出工艺腔室；根据镀膜测量结果确定工艺腔室各单管的镀膜效果。由于盛放硅片的石墨舟可以快速地进入和传出工艺腔室，本发明实施例能够快速地对硅片的镀膜效果进行检测，进而快速判定出影响镀膜效果的因素，可以提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 pecvd 镀膜 效果 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，包括：将工艺腔室各单管的硅烷和氨气的比例调整为一致，所述工艺腔室包括多个单管；将工艺腔室第一部分单管的硅烷流量设定为第一流量值，将工艺腔室第二部分单管的硅烷流量设定为第二流量值，将工艺腔室各单管的氨气流量设定为第三流量值；将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室；将盛放硅片的石墨舟在工艺腔室中停留预设时长，工艺腔室的各单管对所述硅片进行镀膜；将盛放硅片的石墨舟以第二预设速度传出工艺腔室；对所述硅片的镀膜进行测量，并根据镀膜测量结果确定工艺腔室各单管的镀膜效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
