[发明专利]超低残压低容瞬态电压抑制器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710692635.6 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107919355B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 倪凯彬 | 申请（专利权）人： | 上海领矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海汉盛律师事务所 31316 | 代理人： | 郭海锋 |
| 地址： | 201412 上海市奉贤*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超低残压低容瞬态电压抑制器及其制造方法，首先通过各个器件之间的深槽隔离，以及衬底隔离来完全屏蔽各个器件之间所有可能的寄生管的触发和干扰；再次，把所有三个低容导向管和TVS通流管都按横向结构排列，又在各个器件底部通过高能注入防止穿通；第三，所有管子均以梳状结构来设计，最大程度地缩短各个管子之间的距离来降低串联电阻；最后，针对TVS通流管，利用PNPN晶闸管SCR的深回扫，或者NPN触发三极管浅回扫的特性，降低TVS通流管本身的残压，从而进一步降低整个低电容TVS的残压。 | ||
| 搜索关键词： | 超低残 压低 瞬态 电压 抑制器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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