[发明专利]一种硅片扩散装置及硅片插片方法在审
申请号: | 201710693870.5 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107527971A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 伊凡·裴力林;朱太荣;刘照安;徐大超;谢越森;孟科;庞爱锁 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;H01L21/223;H01L21/677 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司44384 | 代理人: | 彭西洋,苏芳 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种硅片扩散装置包括进气管、炉管、炉门、支架、排气管、石英舟;所述进气管、炉门分别设置在炉管的两端;所述石英舟设置在支架上侧,且两者均设置在炉管内部;所述排气管一端设置在炉管的内部,另一端由炉管内向外延伸;所述石英舟包括若干垂直于支架设置的石英棒;所述每一石英棒均开设若干开口朝内的卡槽,且卡槽开口长度方向与支架所在水平面平行。同时公开了一种硅片插片方法是将背靠背水平叠放的两硅片沿上述硅片扩散装置的卡槽开设方向平行插入所述卡槽内。本发明使硅片扩散后方阻均匀性良好,从而能获得更好的扩散效果,并且易于对扩散装置进行改造提升产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 扩散 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种硅片扩散装置,其特征在于,包括进气管、炉管、炉门、支架、排气管、石英舟;所述进气管、炉门分别设置在炉管的两端;所述石英舟设置在支架上侧,且两者均设置在炉管内部;所述排气管一端设置在炉管的内部,另一端由炉管内向外延伸;所述石英舟包括若干垂直于支架设置的石英棒;所述每一石英棒均开设若干开口朝内的卡槽,且卡槽开口长度方向与支架所在水平面平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的