[发明专利]改善法拉第环电阻的方法有效
| 申请号： | 201710695142.8 | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107611031B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 程晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善法拉第环电阻的方法，包含：首先使用PVD方法淀积一层硅化钨的薄膜，然后再使用CVD方法淀积一层硅化钨薄膜。本发明通过两步的硅化钨成膜方式，先生长的PVD硅化钨薄膜可有效避免由于多晶硅或氧化硅形貌的陡直而形成的缝隙，之后再生长一层CVD硅化钨薄膜，同种材料的具有良好的融合特性，这样就可以兼顾较好的台阶覆盖性和较低的薄膜电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 法拉第 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种改善法拉第环电阻的方法，其特征在于：在LDMOS器件的多晶硅栅极形成之后，首先使用PVD方法淀积一层硅化钨的薄膜，然后再使用CVD方法淀积一层硅化钨薄膜，之后再图案化形成法拉第环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
