[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201710696087.4 | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN108122982B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 陈玺中;熊德智;赵家忻;邱意为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种鳍式场效晶体管装置及其形成方法，此方法包含形成第一介电层于晶体管之上，此方法也包含形成第二介电层于第一介电层之上，此方法更包含在第二介电层内形成第一开口，以露出晶体管的栅极电极的至少一部分，此方法还包含在第一介电层内形成第二开口，以露出晶体管的源极/漏极区的至少一部分，第二开口与第一开口相连，且第一开口在第二开口之前形成，此方法还包含在第一开口和第二开口内形成电连接器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的形成方法，包括：形成一第一介电层于一晶体管之上；形成一第二介电层于该第一介电层之上；形成一第一开口在该第二介电层内，以露出该晶体管的一栅极电极的至少一部分；形成一第二开口在该第一介电层内，以露出该晶体管的一源极/漏极区的至少一部分，其中该第二开口与该第一开口相连，且其中该第一开口在该第二开口之前形成；以及形成一电连接器于该第一开口和该第二开口内。
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