[发明专利]低杂散电感衬底及其功率半导体模块在审
申请号: | 201710696370.7 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN107546218A | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 杨贺雅;罗浩泽;梅烨 | 申请(专利权)人: | 杭州浙阳电气有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/367 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种低杂散电感衬底及其功率半导体模块。所述衬底包括多个金属敷层及其上安装的多个功率半导体芯片,第一功率半导体芯片安装在第一金属敷层上;第二金属敷层布置于第一金属敷层旁,与第一金属敷层相邻,并与第一金属敷层上的第一功率半导体芯片相连;第三金属敷层布置于第一金属敷层旁,与第一金属敷层相邻,并与第一功率半导体芯片相连;第二功率半导体芯片安装在第三金属敷层上;第四金属敷层布置于第一金属敷层旁,与第三金属敷层相邻,并与第二功率半导体芯片相连。与现有技术相比,本发明提供的具有低杂散电感衬底的功率半导体模块的优势在于可减小功率回路的杂散电感,提高功率模块的功率密度和运行可靠性。 | ||
搜索关键词: | 低杂散 电感 衬底 及其 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】:
一种低杂散电感衬底,其特征在于:所述衬底(1)包括多个金属敷层(10~13)及其上安装的多个功率半导体芯片(21,22),具体包括:第一金属敷层(10),第一功率半导体芯片(21)安装在所述第一金属敷层上(10);第二金属敷层(11),布置于第一金属敷层(10)旁,在第二方向(52)的反向上与第一金属敷层(10)相邻,并且通过接合装置(31)与第一金属敷层(10)上的第一功率半导体芯片(21)相连;第三金属敷层(12),布置于第一金属敷层(10)旁,在第二方向(52)上与第一金属敷层(10)相邻,并且通过接合装置(32)与第一金属敷层(10)上的第一功率半导体芯片(21)相连;第三金属敷层(12),第二功率半导体芯片(22)安装在所述第三金属敷层(12)上;第四金属敷层(13),布置于第一金属敷层(10)旁,在第二方向(52)上与第三金属敷层(12)相邻,并且通过接合装置(33)与位于第三金属敷层(12)上的第二功率半导体芯片(22)相连。
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