[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法及其产物和包含该多晶硅薄膜的太阳能电池在审
| 申请号： | 201710696833.X | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107611005A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 闫宝杰;叶继春;曾俞衡;高平奇;廖明墩;王丹;童慧;韩灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/20;H01L31/0368 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228 | 代理人： | 杨秀芳 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括(a)沉积非晶硅薄膜；(b)采用脉冲光照射上述非晶硅薄膜，使其晶化。本发明还提供了上述制备方法的产物和包含该产物的太阳能电池。本发明处理温度低，处理时间短，可有效减少非晶硅薄膜中的杂质元素扩散，减少对相邻层材料的破坏和影响，使器件获得较优性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制备 方法 及其 产物 包含 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：(a)沉积非晶硅薄膜；(b)采用脉冲光照射上述非晶硅薄膜，使其晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
