[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件的制造技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制造方法。随着半导体器件由32层向64层发展，线边缘粗糙度的问题也愈发突出，本发明在阶梯刻蚀过程中，通过严格控制光刻胶的边缘轮廓的形状，来解决台阶边缘粗糙度的问题，由于改善了阶梯的线边缘粗糙度,因而可以增加连接孔刻蚀关键尺寸的制程窗口。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括台阶状的阶梯结构，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：光刻胶涂覆：使用光刻胶对所述半导体器件进行涂覆；微刻：按照预定标准对光刻胶的边缘轮廓进行微刻；刻蚀：逐级对阶梯结构中的每一级阶梯进行刻蚀直至完成阶梯结构的刻蚀。