[发明专利]一种N型单面电池的制备方法有效
申请号: | 201710699868.9 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN107437574B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 贾龙;崔璇璇 | 申请(专利权)人: | 宁波诗宏千禧贸易有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315200 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种N型单面电池的制备方法,包括以下步骤:1)对N型硅片制绒;2)依次使用HCl溶液、HF溶液和HPO3溶液清洗;3)配制POCl3混合液;4)在清洗后的硅片背面黏贴氮化硅掩膜,投入POCl3混合液,置于扩散炉,加热;5)冷却,取出磷扩散后的硅片,撕下掩膜;6)湿法刻蚀,在正面镀一层氮化硅减反射膜;7)丝网印刷,完成正面栅线和背面铝背场的烧结。本发明将P型工艺用于制备N型单面电池上,成本低、工艺简单、生产效率低,可大规模生产;并采用新配方的溶液法进行磷扩散,扩散均匀,成本低,效率高,节能环保,光电转化率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 单面 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种N型单面电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)对N型硅片制绒;所述步骤1)中制绒所用溶液由以下重量百分比的组分组成:氢氧化钠5~10%,异丙醇10~15%,氟化硅1~2%,余量为含氨3~5wt.% 的氨水;2)依次使用HCl溶液、HF溶液和HPO3溶液清洗;3)配制POCl3混合液,所述POCl3混合液由以下重量百分比组成:POCl3 50~70%,HCl 5~15%,HPO3 10~20%,V2O5 0.5~1%,余量为水;4)在清洗后的硅片背面黏贴氮化硅掩膜,投入POCl3混合液,置于扩散炉,300~500℃加热30~60min;5)冷却,取出磷扩散后的硅片,用1~3mo/L的HF溶液清洗;6)用酸性溶液进行湿法刻蚀,在正面镀一层氮化硅减反射膜;丝网印刷,完成正面栅线和背面铝背场的烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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