[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件包括非易失性存储器。非易失性存储器包括设置在衬底上的第一介电层、设置在第一介电层上的浮置栅极，控制栅极以及设置在浮置栅极和控制栅极之间的第二介电层。第二介电层包括氧化硅层、氮化硅层和它们的多层中的一层。第一介电层包括在衬底上形成的第一‑第一介电层以及在第一‑第一介电层上形成的第二‑第一介电层。第二‑第一介电层包括具有高于氮化硅的介电常数的介电材料。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

主权项

一种用于制造包括非易失性存储器的半导体器件的方法，所述方法包括：形成单元结构，所述单元结构包括：堆叠结构，包括第一介电层、设置在所述第一介电层上方的第二介电层、设置在所述第二介电层上方用作浮置栅极的第一多晶硅层、设置在所述第一多晶硅层上方的第三介电层以及设置在所述第三介电层上方的第二多晶硅层；和设置在所述堆叠结构的两侧处的第三多晶硅层；去除所述第二多晶硅层，从而形成控制栅极间隔；以及在所述控制栅极间隔中形成导电材料。