[发明专利]一种栅极双重曝光图案化方法

摘要

本发明提供一种栅极双重曝光图案化方法，包括利用具有第一光刻图案的第一光阻层对第一平坦化层和硬掩膜层进行刻蚀以将第一光刻图案转移至硬掩膜层，第一光刻图案对应切线；去除第一平坦化层后于硬掩膜层的上方形成第二平坦化层；利用具有第二光刻图案的第二光阻层对第二平坦化层和硬掩膜层进行刻蚀以将第二光刻图案转移至硬掩膜层，第二光刻图案对应栅氧线；去除第二平坦化层；利用硬掩膜层对栅极层进行刻蚀以形成栅极。本发明的有益效果解决多晶硅栅极的尺寸以及均匀性难控制的问题以及切线致刻蚀工艺难控制的问题。

主权项

一种栅极双重曝光图案化方法，适用于对一复合结构进行处理以得到栅极，所述复合结构包括由下至上依次设置的衬底、栅极层、硬掩膜层及第一平坦化层；其特征在于，所述方法包括：步骤S1、利用具有第一光刻图案的第一光阻层对所述第一平坦化层和所述硬掩膜层进行刻蚀以将所述第一光刻图案转移至所述硬掩膜层，所述第一光刻图案对应切线；步骤S2、去除所述第一平坦化层后于所述硬掩膜层的上方形成第二平坦化层；步骤S3、利用具有第二光刻图案的第二光阻层对所述第二平坦化层和所述硬掩膜层进行刻蚀以将所述第二光刻图案转移至所述硬掩膜层，所述第二光刻图案对应栅氧线；步骤S4、去除所述第二平坦化层；步骤S5、利用所述硬掩膜层对所述栅极层进行刻蚀以形成栅极。