[发明专利]SOI技术中的NVM装置以及制造相应装置的方法有效
| 申请号： | 201710701164.0 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107768372B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 史芬·拜耳;马丁·特瑞史奇;史帝芬·费拉候史奇;A·亨克 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11502 | 分类号： | H01L27/11502;H01L27/11507 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及SOI技术中的NVM装置以及制造相应装置的方法，在一个态样中，本发明提供一种半导体装置，其包括：衬底结构，包括形成于基础衬底上方的主动半导体材料以及形成于该主动半导体材料与该基础衬底之间的埋置绝缘材料；铁电栅极结构，设于该衬底结构的主动区中的该主动半导体材料上方，该铁电栅极结构包括栅极电极及铁电材料层；以及接触区，形成于该铁电栅极结构下方的该基础衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | soi 技术 中的 nvm 装置 以及 制造 相应 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底结构，包括形成于基础衬底上方的主动半导体材料以及形成于该主动半导体材料与该基础衬底之间的埋置绝缘材料；铁电栅极结构，设于该衬底结构的主动区中的该主动半导体材料上方，该铁电栅极结构包括栅极电极及铁电材料层；以及接触区，形成于该铁电栅极结构下方的该基础衬底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
