[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备控制电路，所述控制电路是在对存储单元写入数据的情况下，进行对字线施加第1电压的第1编程，进行对字线施加比第1电压低的第2电压的第1编程验证，进行对字线施加比第1电压低且比第2电压高的第3电压的第2验证，在进行第1及第2验证之后，调整对位线施加的电压，进行第1编程、第1及第2验证，当完成第2验证时，进行对字线施加比第1电压高的第4电压的第2编程，当完成第2编程时，进行对字线施加比第4电压高的第5电压的第3编程。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：多个存储单元晶体管；字线，连接于所述多个存储单元晶体管；多个位线，分别连接于所述多个存储单元晶体管；以及控制电路，在对所述存储单元晶体管写入数据的情况下，进行对所述字线施加第1电压的第1编程动作，进行对所述字线施加比所述第1电压低的第2电压的第1编程验证动作，进行对所述字线施加比所述第1电压低且比所述第2电压高的第3电压的第2编程验证动作，进行所述第1编程验证动作及所述第2编程验证动作之后，调整对多个位线施加的电压，进行所述第1编程动作、所述第1编程验证动作及所述第2编程验证动作，当完成所述第2编程验证动作时，进行对所述字线施加比所述第1电压高的第4电压的第2编程动作，当完成所述第2编程动作时，进行对所述字线施加比所述第4电压高的第5电压的第3编程动作。