[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710701504.X | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN108538329B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 山岡雅史 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/26;G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能高速动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(10)具备：第1及第2存储单元，能存储n比特数据(n是1以上的整数)；第1及第2字线，分别连接于第1及第2存储单元；第1晶体管，一端连接于所述第1字线的一端；以及第2及第3晶体管，一端分别连接于所述第2字线的一端及另一端。在第1比特数据的读出动作中，在选择了第1字线的情况下，对第2字线施加第1时间的第1电压，在选择了第2字线的情况下，对第1字线施加短于第1时间的第2时间的第1电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1及第2存储单元，能存储n比特数据(n是1以上的整数)；第1及第2字线，分别连接于所述第1及第2存储单元；第1晶体管，连接于所述第1字线的一端；以及第2及第3晶体管，分别连接于所述第2字线的一端及另一端；且在第1比特数据的读出动作中，在选择了所述第1字线的情况下，对所述第2字线施加第1时间的第1电压，在选择了所述第2字线的情况下，对所述第1字线施加第2时间的所述第1电压，所述第2时间短于所述第1时间。
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