[发明专利]SRAM测试结构及其形成方法、测试电路及其测试方法有效
| 申请号： | 201710702288.0 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109411008B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SRAM测试结构及其形成方法、测试电路及其测试方法，形成方法包括：形成横跨第一鳍部和第二鳍部的传输栅极结构和下拉栅极结构，传输栅极结构有相对的第一侧和第二侧，下拉栅极结构在传输栅极结构第一侧；形成第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区，第一源漏掺杂区位于传输栅极结构两侧第一鳍部中及下拉栅极结构两侧第一鳍部中，第二源漏掺杂区位于传输栅极结构两侧第二鳍部中及下拉栅极结构两侧第二鳍部中；在传输栅极结构第二侧的第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区上分别对应形成分立的第一位线结构层和第二位线结构层。能分别对传输栅极结构对应第一鳍部的阈值电压和对应第二鳍部的阈值电压进行测试，需要较少引线。 | ||
| 搜索关键词： | sram 测试 结构 及其 形成 方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM测试结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区，衬底第一区上具有第一鳍部，衬底第二区上具有第二鳍部；在衬底上形成横跨第一鳍部和第二鳍部的传输栅极结构，传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；在衬底上形成横跨第一鳍部和第二鳍部的下拉栅极结构，下拉栅极结构位于传输栅极结构的第一侧；形成第一源漏掺杂区，第一源漏掺杂区位于第一区传输栅极结构两侧的第一鳍部中、以及第一区下拉栅极结构两侧的第一鳍部中；形成第二源漏掺杂区，第二源漏掺杂区位于第二区传输栅极结构两侧的第二鳍部中、以及第二区下拉栅极结构两侧的第二鳍部中；在传输栅极结构第二侧的第一源漏掺杂区上形成与第一源漏掺杂区电学连接的第一位线结构层；在传输栅极结构第二侧的第二源漏掺杂区上形成与第二源漏掺杂区电学连接的第二位线结构层，第二位线结构层与第一位线结构层相互分立。
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