[发明专利]一种原子层沉积设备的气路系统及其控制方法

摘要

本发明公开了一种原子层沉积设备的气路系统及其控制方法，通过增加氢气尾气处理装置或添加氢气替换管路两种方式，在不需要水反应的循环步骤，改变氢气的流向或进行氢气替代，使水汽发生器不能生成水，从而可有效避免因两种前驱物在真空管路或真空泵相遇而发生CVD反应，因此可延长真空泵维护周期、提高高纯水的利用率，节约成本，同时也有利于设备颗粒数量的控制。

主权项

1.一种原子层沉积设备的气路系统，其特征在于，包括：稀释管路，连接至原子层沉积设备的反应腔室入口，用于向反应腔室内通入稀释气体；真空管路，连接至所述反应腔室出口，用于通过真空泵将所述反应腔室内的废水和废气排出；供水管路，所述供水管路包括，氧气管路和氢气管路、载气管路和水汽管路，所述氧气管路和氢气管路分别连接至水汽发生器，用于向水汽发生器内通入氧气和氢气，并通过水汽发生器生成水汽；所述载气管路，连接至水汽发生器，用于向水汽发生器内通入携载气体，以携带水汽；所述水汽管路，一端连接水汽发生器，另一端连接稀释管路，用于将携载气体携带的水汽通过稀释管路汇入所述反应腔室；及氢气尾气处理管路，一端连接氢气管路，另一端连接氢气尾气处理装置，用于将氢气管路中的氢气尾气通入氢气尾气处理装置；还包括，氧气尾气处理管路，一端连接水汽发生器，另一端连接真空管路，用于将由水汽发生器流出的携载气体和氧气尾气通过真空管路汇入真空泵；补偿管路，包括第一补偿支路和第二补偿支路，所述第一补偿支路连接至真空管路，用于将补偿气体通过真空管路汇入真空泵，所述第二补偿支路连接至稀释管路，用于将补偿气体通过稀释管路汇入所述反应腔室。