[发明专利]一种倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法有效
| 申请号： | 201710703101.9 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107445137B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 凤瑞 | 申请（专利权）人： | 北方电子研究院安徽有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 耿英;董建林 |
| 地址： | 233040*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，在晶圆片A的硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体，在敏感结构腔体内加工出电极结构；采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A上的硅电极层上；去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；将硅帽键合到晶圆片B上的敏感结构上；从SOI晶圆片A背面依次刻蚀去除焊盘区域位置的SOI晶圆片A的硅衬底和二氧化硅隔离层，暴露出焊盘区域的SOI晶圆片A的电极层，采用溅射的方式加工出金属焊盘，形成MEMS裸芯片；采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽；芯片倒置，将硅帽固定到陶瓷管壳腔体底面，再键合金属引线实现金属焊盘与陶瓷管壳引脚之间的电信号连接，最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳。该方法封装工艺简单、不显著增加封装成本的优势，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆片 敏感结构 硅电极 陶瓷管壳 倒置 硅衬底 键合 加工 二氧化硅隔离层 封装结构 焊盘区域 金属焊盘 硅帽 去除 装配 电信号连接 应力释放槽 电极结构 封装工艺 盖板密封 键合工艺 金属引线 刻蚀工艺 腔体底面 电极层 裸芯片 溅射 可伐 刻蚀 锚点 腔体 深槽 引脚 制作 封装 合金 背面 体内 芯片 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，包括以下步骤：步骤1：在标准的SOI晶圆片A的硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体，步骤2：在敏感结构腔体内加工出电极结构；步骤3：采用键合工艺将另一片SOI晶圆片B的硅电极层键合到SOI晶圆片A上的硅电极层上；步骤4：去除标准的SOI晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；步骤5：在SOI晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；步骤6：将一具有腔体的硅帽通过其硅帽键合区域键合到SOI晶圆片B上的电极层上，将敏感结构密封到MEMS芯片的腔体内；步骤7：从SOI晶圆片A背面依次刻蚀去除焊盘区域位置的SOI晶圆片A的硅衬底和二氧化硅隔离层，暴露出焊盘区域的SOI晶圆片A的电极层；步骤8：在焊盘区域采用溅射或蒸发的方式加工出金属焊盘，形成MEMS裸芯片；步骤9：将硅帽固定到陶瓷管壳内，再键合金属引线实现金属焊盘与陶瓷管壳引脚之间的电信号连接，最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳；在SOI晶圆片A的硅衬底上还刻蚀有应力释放槽。
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