[发明专利]一种栅控晶闸管器件在审
| 申请号： | 201710706119.4 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107464838A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 任敏;林育赐;何文静;苏志恒;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/745 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅控晶闸管器件，属于功率器件技术领域。本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底，第二导电类型半导体掺杂外延层，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的上表面设置有金属阴极和绝缘栅，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的顶层两端分别设置有第一导电类型半导体掺杂阱区，第二导电类型半导体掺杂阱区和第一导电类型半导体重掺杂区，所述第二导电类型半导体掺杂阱区中掺杂有深能级杂质。基于本发明器件结构能够大幅度提高了栅控晶闸管的电流上升率，同时也提升了栅控晶闸管的关断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶闸管 器件 | ||
【主权项】：
一种栅控晶闸管，包括第一导电类型半导体掺杂衬底(2)，设置于在所述第一导电类型半导体掺杂衬底(2)背面的金属阳极(1)，设置在所述第一导电类型半导体掺杂衬底(2)正面的第二导电类型半导体掺杂外延层(3)，所述第二导电类型半导体掺杂外延层(3)的顶层表面设置有金属阴极(7)和绝缘栅，其中绝缘栅位于中间，金属阴极(7)位于绝缘栅两边并与之相隔离；所述绝缘栅包括栅介质层(9)及设置于所述栅介质层(9)上表面的多晶硅栅(8)；所述第二导电类型半导体掺杂外延层(3)的顶层两端分别设置有第一导电类型半导体掺杂阱区(4)，所述第一导电类型半导体掺杂阱区(4)中设置有第二导电类型半导体掺杂阱区(5)，所述第二导电类型半导体掺杂阱区(5)中设置有第一导电类型半导体重掺杂区(6)；所述第二导电类型半导体掺杂阱区(5)及部分第一导电类型半导体重掺杂区(6)与金属阴极(7)连接，所述第一导电类型半导体掺杂阱区(4)、第二导电类型半导体掺杂阱区(5)和第一导电类型半导体重掺杂区(6)均与绝缘栅连接；其特征在于，所述第二导电类型半导体掺杂阱区(5)中具有与之导电类型相同的深能级杂质(10)。。
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