[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本申请提供非易失性半导体装置及其制造方法，所述方法包括，形成第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，其中第二栅极结构和第三栅极结构包括形成在第二栅极结构的侧壁和第三栅极结构的侧壁上的第一间隔件结构和第二间隔件结构。通过离子注入形成杂质区，并且在离子注入期间第一间隔件结构遮挡第二栅极结构和第三栅极结构。第二间隔件结构限定所得的杂质区。

主权项

一种形成半导体装置的方法，所述方法包括步骤：在衬底上形成栅极结构层；通过第一图案化处理部分地蚀刻栅极结构层以在衬底的区上形成多个第一栅极结构，其中所述多个第一栅极结构中的每一个具有第一宽度；形成封盖绝缘层，其覆盖所述多个第一栅极结构和栅极结构层的上部；通过第二图案化处理部分地蚀刻封盖绝缘层和栅极结构层，以形成具有侧壁的多个第二栅极结构和多个第一封盖绝缘图案，其中所述多个第二栅极结构中的每一个具有大于第一宽度的第二宽度，并且所述多个第二栅极结构中相邻的第二栅极结构的侧壁彼此相对；在所述多个第二栅极结构中的每一个上以及所述多个第一封盖绝缘图案中的每一个的侧壁上形成第一间隔件结构，所述第一间隔件结构包括第一间隔件和第二间隔件；以及在所述多个第一栅极结构之间的衬底的上部形成杂质区。