[发明专利]薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法在审
| 申请号： | 201710706862.X | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107527956A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张世玉;牛海军;祝明;崔贤植;石戈;方正;田允允 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人： | 袁礼君,王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括从下至上顺序地设置的基底、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物有源层以及源极和漏极，其中，所述金属氧化物有源层包括第一氧化物有源层和第二氧化物有源层，所述第一氧化物有源层的电导率大于所述第二氧化物有源层的电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括从下至上顺序地设置的基底、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物有源层以及源极和漏极，其中，所述金属氧化物有源层包括第一氧化物有源层和第二氧化物有源层，所述第一氧化物有源层的电导率大于所述第二氧化物有源层的电导率。
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