[发明专利]静电卡盘及改善破片的方法、半导体制程机台有效
申请号: | 201710707432.X | 申请日: | 2017-08-17 |
公开(公告)号: | CN109411400B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 凌嘉宏 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种静电卡盘及改善破片的方法、半导体制程机台。所述静电卡盘通过将每个顶针机构设计为沿顶针机构的升降方向依次排列且相互独立的第一顶针座、第二顶针座以及顶针,利用位置遮断器组件检测检测第一顶针座、第二顶针座以及顶针在基座内所处的位置,利用气管组件向基座内通入气体以独立调节第一顶针座和第二顶针座的位置。基于独立动作的第一顶针座和第二顶针座,并结合位置遮断器组件的工作状态判断结束晶圆吸附后是否除电完全,进而执行相应操作,以确保在除电完全的情况下对晶圆进行支撑操作,有效避免除电不良的情况下,直接利用顶针机构对晶圆进行支撑造成破片的问题。 | ||
搜索关键词: | 静电 卡盘 改善 破片 方法 半导体 机台 | ||
【主权项】:
1.一种静电卡盘,用于对晶圆进行吸附及支撑,其特征在于,包括:一基座;一静电吸附盘,设置于所述基座上;至少三个可升降的顶针机构,设置于所述基座内,所述顶针机构升至一第一预定位置时可用于顶起所述静电吸附盘,所述顶针机构降至一第二预定位置时埋设于所述基座中,其中每个顶针机构包括沿所述顶针机构的升降方向依次排列且相互独立的第一顶针座、第二顶针座以及顶针;一位置遮断器组件,用于检测所述第一顶针座、所述第二顶针座以及所述顶针在所述基座内所处的位置;以及一气管组件,用于作为向所述基座内通入气体的路径,以在气体的驱动控制下独立调节所述第一顶针座和第二顶针座的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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