[发明专利]一种湿刻蚀装置及方法在审
| 申请号： | 201710707461.6 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107507792A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 何军 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人： | 潘中毅,熊贤卿 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种湿刻蚀装置及方法，该装置包括刻蚀槽、喷淋装置、多个滚轮；滚轮设置在刻蚀槽的内部，用于承载待刻蚀的基板；喷淋装置设置在滚轮的上方，用于喷淋刻蚀液；刻蚀槽存储有刻蚀液，且刻蚀液液面高于基板。本发明提供的湿刻蚀装置及方法，可以保证基板刻蚀的均一性，也能保证基板的刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种湿刻蚀装置，其特征在于，包括：存储刻蚀液的刻蚀槽(1)；设置在所述刻蚀槽(1)的内部的多个滚轮(2)，用于承载和传送处于刻蚀液液面以下的待刻蚀的基板(4)；设置在所述滚轮(2)的上方的喷淋装置(3)，用于向所述基板（4）喷淋刻蚀液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
