[发明专利]一种波峰为长波长的OLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710707864.0 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107579170A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 屠国力;戴宗书 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 廖盈春,李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种波峰为长波长的OLED器件及其制备方法，利用两种短波长的材料主客体掺杂制备波峰为长波长的OLED器件，并且掺杂的短波长材料不同，波峰红移程度不同。本发明与制备普通的波峰为长波长OLED器件相比，在器件结构，材料方面，采用短波长的客体材料掺杂到短波长主体中制备波峰为长波长的OLED器件，并且较短波长客体不发光，通过本发明利用成本低短波长的材料制备长波长的OLED器件，并且不需要化学合成深红光客体，在器件结构，材料，成本，波长等方面有重大的突破。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波峰 波长 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种波峰为长波长的OLED器件的制备方法，其特征在于，包括：(1)清洗ITO玻璃片；(2)对清洗后的ITO玻璃片进行吹干以及吹干后的烘箱处理；(3)对烘箱处理后的ITO玻璃片进行臭氧处理；(4)将臭氧处理后的ITO玻璃片放入蒸镀仓内，抽真空；(5)在真空度达到预设真空度值时，依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、激子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，其中，以短波长绿光主体材料掺杂短波长绿光或黄光客体材料蒸镀形成发光层；(6)蒸镀完成后进行封装得到波峰为长波长的OLED器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710707864.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
