[发明专利]毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线

摘要

本发明提供一种毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线，从上往下依次层叠第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层、第三金属覆铜层；本发明将基于基片集成波导的90°耦合器和共口径平行板长缝阵列天线产生的两个空间正交，相位相差90°的线极化波，分别通过基片集成波导不等功分馈电网络对其各线极化自方向图的进行一维H面低副瓣赋形，由圆极化方向图合成原理，实现双圆极化方向图的两个正交面内的低副瓣，使用一维赋形技术在实现双圆极化的两个正交平面低副瓣的同时，简化馈电网络实现难度，本天线采用基片集成波导平行板长缝隙阵形式实现低副瓣双圆极化共口径生成，具有易加工、低剖面和高集成度的特点。

主权项

一种毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线，其特征在于：从上往下依次层叠：第一金属覆铜层(1)、第一介质层(2)、第二金属覆铜层(3)、第二介质层(4)、第三金属覆铜层(5)；第一金属覆铜层(1)上纵横方向各刻蚀14‑16个尺寸相同的双长缝单元(11)，构成共口径缝隙天线阵列；第一介质层(2)边缘四周设置的贯穿金属化孔(21)与第一金属覆铜层(1)、第二金属覆铜层(3)一起构成两方向上的基片集成波导平行板波导；第二金属覆铜层(3)的纵横方向边缘上各刻蚀的16个耦合缝隙(31)与第一介质层内部纵横各15列相距为2.1mm的贯穿金属化孔(22)、第一金属覆铜层(1)、第二金属覆铜层(3)一起构成基片集成波导层间耦合结构；第二介质层(4)的贯穿金属化孔(41)与第二金属覆铜层(3)、第三金属覆铜层(5)一起构成两个相同的1分16的不等功率分配网络与一个90°耦合器；第三层金属覆铜层(5)边缘处刻蚀两个耦合口径(51、52)，被标准矩形波导的WR‑10用作馈电窗口；该耦合器包括4个端口，分别为输入端口、隔离端口、耦合端口和定向端口，耦合器结构完全中心对称，耦合端口与定向端口分别连接两个正交放置的1分16不等功率分配网络，其中耦合端口与定向端口输出幅度相等，并且耦合端口输出相位滞后90°。