[发明专利]一种单层芯片电容器的制备方法及单层芯片电容器

摘要

本发明提供一种单层芯片电容器的制备方法及单层芯片电容器，属于电子科技技术领域。该单层芯片电容器的制备方法包括以下步骤检查基片外观和吸水率检查；清洗陶瓷基片；对基片烧成；溅射基片，同时实时在线监测；冷却；热处理；切割金属化后的陶瓷基片；分选；对产品进行100％温度冲击和电压处理筛选；将产品装盒、包装。通过上述制备方法制作而成的单层芯片电容器，极大地提高了电容器产品的合格率和可靠性，满足宇航级产品使用。

主权项

一种单层芯片电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，基片外观检查和吸水率检测；步骤二，对陶瓷基片进行清洗；步骤三，对基片烧成；将放有基片的载片放入高温炉中烧成，烧成温度为(600±100)℃，保温时间为(60±30)min；步骤四，将清洗好的基片放置在溅射机内；设置溅射参数，对溅射机进行腔体加热；基片采用自转和公转方式，采用直流溅射的方式进行溅射，同时采用在线监测系统，实时监测溅射膜厚；先溅射过渡层钛钨合金靶材，再溅射Ni靶材，然后溅射Au靶材；步骤五，关掉加热装置，随炉冷却至少8h后，将基片取出；步骤六，热处理，将溅射好的基片进行真空热处理；步骤七，切割金属化后的陶瓷基片；步骤八，分选；步骤九，对产品进行100％温度冲击和电压处理筛选；步骤十，将产品装盒、包装。