[发明专利]一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管及制作方法

摘要

本发明公开了一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管，包括SiC衬底，在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层、第六外延层，第六外延层分为多个凸台；在第三外延层上部镶嵌有结终端，并且结终端位于第四外延层和第五外延层的末端之外；还包括绝缘介质薄膜，绝缘介质薄膜覆盖在各个凸台侧壁、各个凸台之间的第五外延层表面以及结终端台面的侧壁与表面；在第六外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极；在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明还公开了该种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管的制作方法。本发明的结构独特，器件性能优异；本发明的制作方法，便于实施。

主权项

一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：包括SiC衬底(1)，该SiC衬底(1)的材料为n型4H‑SiC，在SiC衬底(1)之上制作有第一外延层(2)，即n+发射区，该第一外延层(2)的材料为n型4H‑SiC；在第一外延层(2)之上制作有第二外延层(3)，即p+缓冲层，该第二外延层(3)的材料为p型4H‑SiC；在第二外延层(3)之上制作有第三外延层(4)，即p‑长基区，该第三外延层(4)的材料为p型4H‑SiC；在第三外延层(4)之上制作有第四外延层(5)，即下层薄n基区，该第四外延层(5)的材料为n型4H‑SiC；在第四外延层(5)之上制作有第五外延层(6)，即上层薄n‑基区，该第五外延层(6)的材料为n型4H‑SiC；在第五外延层(6)之上制作有第六外延层(7)，即p+发射区，分为尺寸相同的多个凸台，每个凸台的侧壁为平面，该第六外延层(7)的材料为p型4H‑SiC；在第三外延层(4)上部镶嵌有结终端(10)，并且结终端(10)位于第四外延层(5)和第五外延层(6)的末端之外，呈p型；还包括绝缘介质薄膜(8)，绝缘介质薄膜(8)覆盖在第六外延层(7)的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第五外延层(6)表面以及结终端(10)台面的侧壁与表面，位于各个凸台之间的部分的高度低于凸台的上端面；在第六外延层(7)的各个凸台上端面覆盖有阳极(9)；在SiC衬底(1)下端面覆盖有阴极(11)。