[发明专利]晶圆在位检测装置、晶圆托架以及晶圆在位检测方法有效
申请号: | 201710712141.X | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107546145B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 沈攀;路新春 | 申请(专利权)人: | 清华大学;华海清科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/677 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆在位检测装置、晶圆托架以及晶圆在位检测方法,晶圆在位检测装置包括压力介质源、多个检测孔、压力检测器、流量控制器、压力控制器和控制器,压力介质源用于提供具有预定压力的介质;每个检测孔均通过管路与压力介质源相连;压力检测器设在管路上且位于压力介质源与多个检测孔之间以便检测管路中的压力;流量控制器设在管路上且位于压力介质源与多个检测孔之间以便调节管路中的流量;压力控制器设在管路上且位于压力介质源与多个检测孔之间以便调节管路中的压力;控制器与压力检测器相连以便根据压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。根据本发明的晶圆在位检测装置具有分辨率高、稳定性高等优点。 | ||
搜索关键词: | 在位 检测 装置 托架 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆在位检测装置,其特征在于,包括:压力介质源,所述压力介质源用于提供具有预定压力的介质;多个检测孔,每个所述检测孔均通过管路与所述压力介质源相连,其中所述多个检测孔并联;压力检测器,所述压力检测器设在所述管路上且位于所述压力介质源与所述多个检测孔之间以便检测所述管路中的压力;流量控制器,所述流量控制器设在所述管路上且位于所述压力介质源与所述的压力检测器之间以便调节所述管路中的流量;压力控制器,所述压力控制器设在所述管路上且位于所述压力介质源与所述的压力检测器之间以便调节所述管路中的压力;和控制器,所述控制器与所述压力检测器相连以便根据所述压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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