[发明专利]一种硅片激光掺杂SE的扩散工艺

摘要

本发明涉及一种硅片激光掺杂SE的扩散工艺，所述工艺是在硅片表面形成扩散第一层磷层和扩散第二层磷层后，增加附磷层沉积处理而在扩散后硅表面形成附磷层。该附磷层不仅解决了激光烧蚀的PSG浓度不够问题，同时附磷层在后续的洗磷工艺中很容易除去，即在发射极仍然保持是低表面浓度，轻掺杂区域，因此能有效解决激光掺杂时因PSG浓度低造成欧姆接触不良填充因子降低的问题。

主权项

一种硅片激光掺杂SE的扩散工艺，所述硅片的制备工艺过程，包括对硅片依次进行清洗、扩散、激光掺杂、洗磷、背钝化、硅片正面镀膜、硅片背面镀膜、激光开孔和丝网印刷，其特征是：所述扩散工艺具有如下步骤：1、将清洗过后的硅片放于石英舟上推入扩散炉内，将炉内温度升至750～800℃；2、在扩散炉内对硅片表面进行前氧化预处理，处理时间为3～15min；3、向扩散炉通入携带POCl3的氮气进行第一层磷源的沉积，沉积时间为5～20min，形成扩散第一层磷层，同时将炉内温度升至780～800℃；4、停止通入携带POCl3的氮气，并将扩散炉内的温度升至800～900℃，对硅片作高温推进处理，推进时间为3～15min；5、再次向扩散炉通入携带POCl3的氮气进行第二层磷源的沉积，沉积时间为5～20min，形成扩散第二层磷层，炉内温度升至810～910℃；6、停止通入携带POCl3的氮气，并将扩散炉内的温度升至820～920℃，对硅片作高温推进处理，推进时间为3～15min；7、在扩散炉内对硅片表面进行后氧化处理，处理时间为3～15min；8、附磷层沉积：向扩散炉通入携带POCl3的氮气进行磷源的沉积，沉积时间为5～20min，形成附磷层，同时将炉内温度下降至700～810℃；9、扩散炉内停止通入携带POCl3的氮气，对所述的硅片进行氮气吹扫；10、扩散处理结束，将石英舟推出扩散炉，取出设于石英舟上的硅片。