[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710712653.6 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN108630281B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 细谷昌弘 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：存储单元阵列；温度传感器，产生基于温度的第1电压，对所述第1电压、与基于上一次的温度测定结果的第2电压进行比较，判定从上一次的温度测定算起的温度的变动是否在设定值以内，在判定为温度变动在设定值以内的情况下，根据上一次的温度测定结果产生第1信号，在判定为温度变动并非在设定值以内的情况下，测定温度，更新温度测定结果，且根据更新后的温度测定结果产生所述第1信号；及电压产生电路，根据所述第1信号产生施加到所述存储单元阵列的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：存储单元阵列；温度传感器，产生基于温度的第1电压，对所述第1电压、与基于上一次的温度测定结果的第2电压进行比较，判定从上一次的温度测定算起的温度的变动是否在设定值以内，在判定为温度变动在设定值以内的情况下，根据上一次的温度测定结果产生第1信号，在判定为温度变动并非在设定值以内的情况下，测定温度，更新温度测定结果，且根据更新后的温度测定结果产生所述第1信号；及电压产生电路，根据所述第1信号产生施加到所述存储单元阵列的电压。
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