[发明专利]一种用于制作三维无源集成器件的键合体及器件制作方法有效
申请号: | 201710713141.1 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107564826B | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 徐健 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/538;H01L25/065 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 陈博旸 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于制作三维无源集成器件的键合体及器件制作方法。其中,一种三维无源集成器件的制作方法,分别在多个晶圆衬底中形成导体并在晶圆衬底表面露出导体的位置进行布线形成布线层,分别在布线层表面形成键合面,利用键合面将多个晶圆衬底进行堆叠键合以形成键合体,对键合体进行处理以形成三维无源集成器件。本发明提供的方法采用多层晶圆堆叠的方式,在原有单层立体IPD设计方案的基础上,堆叠多层IPD设计方案,产品的电器性能有较大的提升。本发明提供的键合体相比于平面结构,其占有的面积更小,更加有利于小型化的应用,由于是晶圆级的封装形式,其生产效率更高,成本优势更大。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 制作 三维 无源 集成 器件 合体 制作方法 | ||
【主权项】:
一种三维无源集成器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:分别在多个晶圆衬底中形成导体;分别在所述多个晶圆衬底表面露出所述导体的位置进行布线形成布线层;分别在所述布线层表面形成键合面;利用所述键合面将所述多个晶圆衬底进行堆叠键合以形成键合体;对所述键合体进行处理以形成三维无源集成器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造