[发明专利]半导体封装及半导体封装的标记方法在审

专利信息
申请号: 201710713264.5 申请日: 2017-08-18
公开(公告)号: CN108630627A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 高野勇佑 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/544;H01L23/552;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的实施方式提供一种视认性提高的半导体封装及半导体封装的标记方法。实施方式的半导体封装具备半导体元件、密封材料、屏蔽膜以及识别膜。所述密封材料设置在所述半导体元件的侧面上及上表面上。所述屏蔽膜设置在所述密封材料的侧面上及上表面上。所述识别膜设置在所述屏蔽膜的上表面上,具有含二价氧化钛的第1部分及含四价氧化钛的第2部分。
搜索关键词: 半导体封装 密封材料 屏蔽膜 上表面 半导体元件 氧化钛 侧面 视认性 二价 四价
【主权项】:
1.一种半导体封装,其特征在于具备:半导体元件;密封材料,设置在所述半导体元件的侧面上及上表面上;屏蔽膜,设置在所述密封材料的侧面上及上表面上;以及识别膜,设置在所述屏蔽膜的上表面上,具有含二价氧化钛的第1部分及含四价氧化钛的第2部分。
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