[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201710713452.8 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107527923B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 司秀丽;芮洲;江鹏;杨海鹏;戴珂 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1337 |
代理公司: | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张京波;曲鹏<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括:在非显示区的标记区域形成第一标记图案,并形成覆盖非显示区的第一绝缘层;在非显示区形成半导体图案,半导体图案用于减少标记区域与相邻区域之间的段差;形成覆盖非显示区的第二绝缘层,通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。通过在非显示区形成半导体图案,并刻蚀标记区域的第二绝缘层,减小了标记区域与相邻区域之间的段差,改善了段差对摩擦滚轮绒布纤维的损伤,提升了摩擦配向良率。本发明实施例还提出了一种采用上述制备方法制备而成的阵列基板,同时还提出了一种包括该阵列基板的显示面板。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,阵列基板包括显示区和非显示区,其特征在于,包括:/n在非显示区的标记区域形成第一标记图案,并形成覆盖非显示区的第一绝缘层;/n在非显示区形成用于减少标记区域与相邻区域之间的段差的半导体图案,所述半导体图案包括在标记区域之外的非显示区形成的第二半导体图案;/n在非显示区的标记区域形成第二标记图案;/n形成覆盖非显示区的第二绝缘层,通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的