[发明专利]衬底支撑装置以及外延生长设备有效
| 申请号： | 201710713577.0 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN109411401B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘源;季文明 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底支撑装置以及外延生长设备，所述衬底支撑装置包括基座环和具有凹槽的底座；所述基座环位于所述凹槽内并用于承载所述衬底，且所述基座环与所述底座之间形成有容置空间。所述外延生长设备包括所述衬底支撑装置。本发明提供的衬底支撑装置能够很好的隔热，使所述衬底支撑装置内的部件不容易因过热而老化，降低了所述部件的更换频率；同时，由于所述零部件更换频率的减少，使生产能够更顺利的进行，从而提升了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 支撑 装置 以及 外延 生长 设备 | ||
【主权项】：
1.一种衬底支撑装置，其特征在于，包括基座环和具有凹槽的底座；所述基座环位于所述凹槽内并用于承载所述衬底，且所述基座环与所述底座之间形成有容置空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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