[发明专利]用于表征由半导体装置制造工艺引起的临界参数的系统和方法在审

专利信息
申请号: 201710716062.6 申请日: 2017-08-18
公开(公告)号: CN107758609A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 佩奇·M·霍尔姆;柳连俊 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: B81C99/00 分类号: B81C99/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 倪斌
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种系统包括三个相关结构。第一结构包括插入在第一对侧壁之间的第一指形件。所述第一指形件具有第一长度和第一宽度,且与所述侧壁中的每个侧壁分开具有第一间距的第一间隙。第二结构包括插入在第二对侧壁之间的第二指形件。所述第二指形件具有第二长度和所述第一宽度,且与所述侧壁中的每个侧壁分开具有第二间距的第二间隙。第三结构包括插入在第三对侧壁之间的第三指形件。所述第三指形件具有所述第二长度和第二宽度,且与所述侧壁中的每个侧壁分开具有第二间距的第三间隙。所述三个结构的电阻和电容测量用于提取由半导体装置制造工艺引起的临界参数。
搜索关键词: 用于 表征 半导体 装置 制造 工艺 引起 临界 参数 系统 方法
【主权项】:
一种形成在基板上的工艺控制监测系统,其特征在于,所述工艺控制监测系统包括:第一结构,所述第一结构形成在所述基板的结构层中,所述第一结构包括插入在第一对侧壁之间的第一指形件,所述第一指形件展现第一长度和第一宽度,所述第一长度和所述第一宽度中的每一者平行于所述基板的表面,且所述第一指形件与所述第一对侧壁中的每个侧壁分开具有第一间距的第一间隙;第二结构,所述第二结构形成在所述基板的所述结构层中,所述第二结构包括插入在第二对侧壁之间的第二指形件,所述第二指形件展现第二长度和所述第一宽度,所述第二长度和所述第一宽度中的每一者平行于所述基板的所述表面,且所述第二指形件与所述第二对侧壁中的每个侧壁分开具有所述第一间距的第二间隙;以及第三结构,所述第三结构形成在所述基板的所述结构层中,所述第三结构包括插入在第三对侧壁之间的第三指形件,所述第三指形件展现所述第二长度和第二宽度,所述第二长度和所述第二宽度中的每一者平行于所述基板的所述表面,且所述第三指形件与所述第三对侧壁中的每个侧壁分开具有第二间距的第三间隙。
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