[发明专利]一种PMOS器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种PMOS器件的制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在深槽结构中引入栅电极及设于栅电极外围的应变介质层，从而为流动通道所在半导体材料区域施加压缩应变，藉由压缩应变提升空穴迁移率，致使器件在正向导通时空穴电流流经导通电阻更低的路径，从而降低了器件的导通电阻；同时，由于漂移区与引入栅电极产生辅助耗尽漂移区的横向电场，能够提高器件的反向耐压。本发明相比现有超结结构的制备工艺，避免了多次外延套刻精度和电荷平衡控制所存在工艺要求难度大的问题，因而具有低成本和操作简单的优势，有利于大规模工艺化生产。

主权项

一种PMOS器件的制作方法，包括：提供形成有深槽栅结构的半导体基底，在半导体基底的表面形成金属化源极，经减薄半导体基底及金属化背面后形成金属化漏极；其特征在于：形成深槽栅结构的步骤包括：在深槽(4)的底部侧壁及底壁形成应变介质层(5)，所述应变介质层(5)的材料具有压缩应变特性；在所述应变介质层(5)的表面形成介质层(6)；然后在深槽(4)底部形成第一栅电极(71)；所述第一栅电极(71)的上表面与介质层(6)和应变介质层(5)的上表面重合；再在深槽(4)内形成位于第一栅电极(71)、介质层(6)和应变介质层(5)上表面的氧化层(8)；在所述氧化层(8)之上的深槽侧壁形成栅介质层(9)；然后刻蚀氧化层(8)以露出第一栅电极(71)；再在第一栅电极(71)及氧化层(8)之上形成与二者接触的第二栅电极(72)；最后在第二栅电极(72)与源极金属(15)之间形成隔离介质层(12)。