[发明专利]包含电容的装置及其形成方法有效
申请号: | 201710717139.1 | 申请日: | 2017-08-21 |
公开(公告)号: | CN109427785B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 方玲刚 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/64;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种包含电容的装置及其形成方法。包含一电容的装置,包含有一绝缘结构、一第一控制栅极、一第一选择栅极以及一第一介电层。绝缘结构设置于一基底中。第一控制栅极及第一选择栅极直接设置于绝缘结构的正上方。第一介电层垂直夹置于第一控制栅极及第一选择栅极之间,因而构成电容。本发明还提供形成包含此电容的装置的方法。 | ||
搜索关键词: | 包含 电容 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种包含电容的装置,包含有:绝缘结构,设置于一基底中;第一控制栅极及第一选择栅极直接设置于该绝缘结构的正上方;以及第一介电层,垂直夹置于该第一控制栅极及该第一选择栅极之间,因而构成该电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710717139.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有鳍和栅极结构的集成电路及其制造方法
- 下一篇:半导体存储装置及其制作工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的